Electrical properties of Si-doped alloy AlxGa1-xAs.

Electrical properties of Si-doped alloy AlxGa1-xAs.

Authors

  • Ivan Frederico Lupiano Dias Universidade Estadual de Londrina
  • Rogério Chaves Miranda Universidade Federal de Minas Gerais.
  • Alfredo Gontijo de Oliveira Universidade Federal de Minas Gerais.

DOI:

https://doi.org/10.5433/1679-0375.1994v14n4p329

Keywords:

Semiconductors, Ternary Alloy, Molecular Beam Epitaxy.

Abstract

We   investigate   the   influence   of growth  conditions,   doping concentration and alloy  composition  on  the  electrical properties of Si-doped   AlxGa1-xAs samples prepared by Molecular Beam Epitaxy (MBE).

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Author Biographies

Ivan Frederico Lupiano Dias, Universidade Estadual de Londrina

Departamento de Física/CCE.

Rogério Chaves Miranda, Universidade Federal de Minas Gerais.

Departamento de Física/ICEX.

Alfredo Gontijo de Oliveira, Universidade Federal de Minas Gerais.

Departamento de Física/ICEX.

Published

2004-12-15

How to Cite

Dias, I. F. L., Miranda, R. C., & Oliveira, A. G. de. (2004). Electrical properties of Si-doped alloy AlxGa1-xAs. Semina: Ciências Exatas E Tecnológicas, 14(4), 329–338. https://doi.org/10.5433/1679-0375.1994v14n4p329

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