A técnica de fotoluminescência aplicada à investigação de imperfeições estruturais em poços quânticos de materiais semicondutores

Edson Laureto, Ivan Frederico Lupiano Dias, José Leonil Duarte, Dari de Oliveira Toginho Filho, Sidney Alves Lourenço, Eliermes Arraes Meneses

Resumo


Fotoluminescência é uma das técnicas de espectroscopia mais utilizadas no estudo das propriedades ópticas de materiais e heteroestruturas semicondutoras. Neste trabalho, é explorada a potencialidade desta técnica na investigação e caracterização de imperfeições estruturais decorrentes de flutuações na composição química de ligas ternárias e quaternárias, rugosidades de interface, e compostos estequiometricamente indesejados decorrentes da troca entre elementos químicos nas interfaces. São analisadas amostras de poços quânticos formados por teroestruturas de GaAs/AlGaAs, GaAsSb/GaAs, GaAsSbN/GaAs e GaAs/GaInP, tendo como objetivo verificar a influência das imperfeições estruturais sobre os espectros de PL. 


Palavras-chave


Semicondutores; Poços quânticos; Interfaces; Fotoluminescência.

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DOI: http://dx.doi.org/10.5433/1679-0375.2005v26n1p23

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