Fotoluminescência do ingaas/inp crescido pela técnica de epitaxia por feixe molecular

Luiz Carlos Poças, Élder Mantovani Lopes, José Leonil Duarte, Ivan Frederico Lupiano Dias, Edson Laureto, Dari Oliveira Toginho Filho, Paulo Sérgio Soares Guimarães, Luiz Alberto Cury, Harmand Jean Christophe

Resumo


Medidas de fotoluminescência (PL) em função da temperatura e da potência de excitação foram realizadas em uma amostra contendo uma camada de In0,53Ga0,47As crescida pela técnica de epitaxia por feixe molecular-MBE (Molecular Beam Epitaxy) sobre um substrato de InP. As origens dos vários processos de luminescência observados à baixa temperatura foram determinados estudando seus diferentes comportamentos com o aumento da temperatura e da potência de excitação e comparando os resultados com os dados encontrados na literatura. Foram identificadas: uma transição envolvendo éxcitons localizados e duas transições envolvendo impurezas aceitadoras. Uma revisão dos principais trabalhos publicados na literatura relacionados às transições ópticas observadas à baixa temperatura no InGaAs/InP também é apresentada.

Palavras-chave


InGaAs/InP; Fotoluminescência.

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DOI: http://dx.doi.org/10.5433/1679-0375.2004v25n2p183

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