Refletividade em Espelhos de Bragg de AlGaAsSb/AlAsSb sobre InP

Dari de Oliveira Toginho Filho, Ivan Frederico Lupiano Dias, José Leonil Duarte, Sidney Alves Lourenço, Luiz Carlos Poças, Edson Laureto, Bernard Nabet, Jean C. Harmand

Resumo


Analisamos neste trabalho, a refletividade de um espelho de Bragg composto por materiais da família do antimônio (AlGaAsSb/AlAsSb) dopado com telúrio. As amostras foram preparadas através da técnica de epitaxia por feixe molecular MBE (Molecular Beam Epitaxy) e as medidas de refletividade pela técnica de espectroscopia de infravermelho por transformada de Fourier FTIR (Fourier Transform Infra- Red). Para discussão das propriedades do espelho de Bragg comparamos a refletividade obtida experimentalmente e uma simulação baseada no formalismo matricial.


Palavras-chave


Semicondutores; Refletividade; Espelho de Bragg; AlGaAsSb, AlAsSb.

Texto completo:

PDF


DOI: http://dx.doi.org/10.5433/1679-0375.2003v24n1p69

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution 3.0 License.

Semina: Ciências Exatas e Tecnológicas/

Semina: Exact and Technological Sciences
Londrina - PR
ISSN Impresso/Print ISSN: 16765451

ISSN Eletrônico/EISSN: 16790375